眾所周知，當前電子技術的發展方向是：應用技術高頻化、硬件結構模塊化、半導體器件智能化、控制技術數字化以及產品性能綠色化（對電網等無污染）。

模塊化結構提高了產品的密集性、安全性和可靠性，同時也可降低裝置的生產成本，縮短產品進入市場的周期，提高企業在市場中的競爭力。由于電路的連線已在模塊內部完成，并采用與PCB一樣可刻蝕出各種圖形結構的陶瓷覆銅板（DBC板），因此，大大縮短了模塊內元器件之間的連線，可實現優化布線和對稱性結構的設計，使裝置電路的寄生電感和電容值大大降低，有利于實現裝置的高頻化。此外，模塊化結構與同容量分立器件結構相比，還具有體積小、重量輕、結構緊湊、連接線簡單，便于維護和安裝等優點，因而大大縮小變流裝置的體積、降低裝置的重量和成本，提高了裝置的效率和可靠性。且模塊的主電極端子、控制端子和輔助端子與模塊銅底板之間具有2.5KV以上有效值的絕緣耐壓，使之能與裝置內各種不同模塊共同安裝在一個接地的散熱器上，有利于裝置體積的進一步縮小，簡化裝置的結構設計。

20世紀80年代初，絕緣柵雙極晶體管（IBGT）、功率MOS場效應管（POWER MOSFET）和集成門極換流晶閘管（IGCT）的研制成功，并得到急劇發展和商品化，這不僅對電力電子變流器向高頻化發展提供了堅實的器件基礎，同時，也為用電設備高頻化（20KHZ以上）和高頻設備固態化、為高效、節電、節能、節材，為實現機電一體化、小型化、輕量化和智能化提供了重要技術基礎。與此同時，給IGBT、功率MOSFET以及IGCT等開關器件配套的，且不可缺少的FRD和FRED器件也得到飛快發展。因為隨著裝置工作開關頻率的提高，若沒有FRD和FRED給高頻變頻裝置的開關器件作續流、吸收、箝位、隔離、輸入整流器和輸出整流器的配套，那么IGBT、功率MOSFET和IGCT等高頻開關器件就不能發揮它們應有功能和獨特作用，這是由于FRED的關斷特性參數（反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr和反向峰值電流IRM）的作用所致，最佳和合適參數的FRED、作為續流二極管與高頻開關器件協調工作，使高頻逆變電路內因開關器件換流所引起的過電壓尖峰，高頻干擾電壓以及EMI干擾可降至最低，也可降低功耗，使開關器件的功能得到充分的發揮。

超快恢復二極管模塊(FRED)類型MEO，MEE，MEA和MEK(圖1)是分立型DESEI向大電流的擴展，其特性不變。它可以用在所有MOSFET，IGBT或雙極性達林頓管電路中，工作頻率要高于1kHz。

如果要用幾個分立二極管井聯成小模塊，換用這些模塊可減小安裝時間和設備尺寸。一般FRED可用作大電流的IGBT或積極性達林頓管的續流二極管，或用作電源和焊接機的快速整流管。下面是一系列超快恢復二極管模塊(FRED)的應用。

A. 用作拖動和UPS系統中單相或三相逆變器的續流二極管，采用PWM控制，開關頻率高于1kHz(圖1)。

B. 用作開關電源或伺服驅動的續流二極管

(a)使用MOSFET和肖特基阻斷二極管的對稱全僑電路(圖2a))

(b)使用MOSFET的正激變換器和直流電機驅動的不對稱全橋圖(圖2b))

C. 用作電源或焊接機的整流

全波整流電路(圖4(a))中，根據負載電流的大小，可選擇幾個MEO模塊并聯。

共陰極拓樸(圖4(b))中，根據負載電流的大小，可選擇幾個MEK模塊井聯。

共陽極拓樸(圖4(c))中，根據負載電流的大小，可選擇幾個MEA模塊并聯。

全橋整流電路(圖4(d))中，根據負載電流的大小，可選擇幾個MEE或MEO模塊并聯。

高壓輸出的全橋整流電路(圖4(e))中，可使用兩個MEE模塊串聯獲得高阻斷電壓。

所有的超快恢復二極管模塊(FRED)中連續直流電流IFAVM的數值是在散熱器溫度TS=65℃，結溫TVJM=125℃(溫差60℃)的條件下給出的。

如與別的產品比較，要確定兩個模塊的結芯與散熱器溫差相等，因為溫差決定可流過的正向電流。

而且。超快恢復二極管模塊(FRED)的電流定額和阻斷損耗都是在TVJ=125℃和占空比d=50%條件下的。

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