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    KIA20N50現貨供應商 KIA20N50 PDF文件 20A500V參數詳細資料-KIA 官網

    信息來源:本站 日期:2018-02-09 

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    KIA20N50參數指標

    KIA20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源功率因數校正。



    KIA20N50特征

    RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V

    低柵極電荷(典型的70nc)

    快速切換的能力

    雪崩能量

    改進的dt/dt能力


    KIA20N50參數

    產品型號:KIA20N50

    工作方式:20A/500V

    漏源電壓:500V

    柵源電壓:±30V

    漏電流連續:13A

    脈沖漏極電流:80A

    雪崩能量:110mJ

    耗散功率:41.5W

    熱電阻:62.5℃/W

    漏源擊穿電壓:500V

    溫度系數:0.5V/℃

    柵極閾值電壓:2.0V

    輸入電容:2700 PF

    輸出電容:400 PF

    上升時間:400 ns

    封裝形式:TO-247、TO-220F、TO-3P



    KIA20N50/HF/HH/HM
    產品編號 KIA20N50(20A 500V)
    FET極性 N溝道MOSFET
    產品特征

    RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V

    低柵極電荷(典型的70nc)

    快速切換的能力

    雪崩能量

    改進的dt/dt能力

    適用范圍 主要適用于為高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源功率因數校正。
    封裝形式 TO-220F、TO-247、TO-3P
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    聯系方式:鄒先生

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