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    2N60現貨供應商 KIA2N60中文資料 PDF文件 2N60參數資料-KIA 官網

    信息來源:本站 日期:2018-01-27 

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    KIA2N60參數

    KIA2N60  N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關變換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序。


    KIA2N60特征

    RDS(ON)= 4.1Ω@ V GS = 10v

    低柵極電荷(典型9NC)

    高耐用性

    快速切換的能力

    雪崩能量

    改進的dt/dt能力


    產品型號:KIA2N60

    工作方式:2A/600V

    漏源電壓:600V

    柵源電壓:±30V

    漏電流連續:2.0*A

    脈沖漏極電流:8*A

    雪崩能量:12mJ

    耗散功率:44W

    熱電阻:62.5℃/W

    漏源擊穿電壓:600V

    柵極閾值電壓:2.0V

    輸入電容:200 PF

    輸出電容:20 PF

    上升時間:25 ns

    封裝形式:TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F



    KIA2N60(2A/600V)
    產品編號 KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U
    FET極性 N溝道MOSFET
    產品工藝 kia2n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關變換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序
    產品特征

    RDS(ON)= 4.1Ω@ V GS = 10v

    低柵極電荷(典型9NC)

    高耐用性

    快速切換的能力

    雪崩能量

    改進的dt/dt能力

    適用范圍 主要適用于功率開關應用,如開關穩壓器,開關變換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序
    封裝形式 TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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    LOGO
    廠家 KIA原廠家
    網址 www.juju55.com
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