6N70原廠供應商 KIA6N70 PDF下載 6N70參數配置對比-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-01-26
特征
RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA6N70
工作方式：5.8A/700V
漏源電壓：700V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：5.8*A
脈沖漏極電流：150mJ
雪崩能量：4.8A
耗散功率：95W
熱電阻：110℃/W
漏源擊穿電壓：700V
溫度系數：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：650 PF
輸出電容：95 PF
上升時間：40 ns
封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220F
 |
KIA6N70（5.8A 700V） |
| 產品編號 | KIA6N70/HD/HF/HU/SU |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。 |
| 產品特征 |
RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型的16nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。 |
| 封裝形式 | TO-251、TO-252、TO-220F |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | www.juju55.com |
| PDF總頁數 | 總5頁數 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
