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    IRF740供應(yīng)商 IRF740技術(shù)參數(shù)信息 IRF740中文資料 KIA 官網(wǎng)

    信息來(lái)源:本站 日期:2018-01-21 

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    IRF740參數(shù)指標(biāo)

    IRF740屬于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740為設(shè)計(jì)者提供了轉(zhuǎn)換快速、堅(jiān)固耐用、低導(dǎo)通阻抗和高效益的強(qiáng)力組合。


    新系列的低電荷PowerMOSFETIRF740LC則具有比傳統(tǒng)MOSFETs明顯更低的柵電荷。利用新型的LCDMOS技術(shù),IRF740LC性能得到增強(qiáng)且無(wú)需增加額外的成本,簡(jiǎn)化了柵極動(dòng)需求,從而節(jié)省了系統(tǒng)總體開(kāi)銷(xiāo)。此外,在大量的高頻應(yīng)用中,IRF740LC減少了轉(zhuǎn)換損耗,效能得到強(qiáng)化。

    TO-220封裝的IRF740普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF740得到業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可。SMD-220封裝的IRF740適用于貼片安裝,比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝,可說(shuō)是功率最高,導(dǎo)通阻抗最低。IRF740的SMD-220封裝可適應(yīng)高強(qiáng)度電流的應(yīng)用。


    2、IRF740特征

    動(dòng)態(tài)dv/dt率

    可恢復(fù)性雪崩測(cè)定

    快速轉(zhuǎn)換速率

    并行簡(jiǎn)易

    僅需簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)

    超低柵電荷 - IRF740LC

    增強(qiáng)VGS等級(jí) 30 V - IRF740LC

    極高工作頻率 - IRF740LC

    無(wú)鉛環(huán)保


    3、產(chǎn)品參數(shù)

    晶體管極性:N溝道

    漏極電流, Id 最大值: 10A (at 25℃)

    電壓, Vgs 最大:20V

    開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on): 典型值 0.48Ω

    (Vgs=10V,Id=5.3A)

    電壓Vds 最高:400V

    功耗:2.5W

    功率溫度:25°C


    4、IRF730產(chǎn)品參考

    PartNumbe

    VDss(V)

    IDA

    MaxRDS(ON)

    @60%ID(Ω)

    Typical RDON@60%IDΩ

    IRF630

    200

    9.5

    300

    23.3

    IRF024

    60

    14

    0.10

    25

    IRF634

    250

    8.1

    0.45

    41

    IRF830

    500

    4.5

    1.5

    38

    IRF840

    500

    8.0

    0.85

    63

    IRF7811

    30

    14

    14

    17

    IRF530

    100

    14

    0.16

    26

    IRF7413

    30

    13

    11

    44



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