IRF740供應(yīng)商 IRF740技術(shù)參數(shù)信息 IRF740中文資料 KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-01-21
新系列的低電荷PowerMOSFETIRF740LC則具有比傳統(tǒng)MOSFETs明顯更低的柵電荷。利用新型的LCDMOS技術(shù)，IRF740LC性能得到增強(qiáng)且無需增加額外的成本，簡(jiǎn)化了柵極動(dòng)需求，從而節(jié)省了系統(tǒng)總體開銷。此外，在大量的高頻應(yīng)用中，IRF740LC減少了轉(zhuǎn)換損耗，效能得到強(qiáng)化。
TO-220封裝的IRF740普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF740得到業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可。SMD-220封裝的IRF740適用于貼片安裝，比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝，可說是功率最高，導(dǎo)通阻抗最低。IRF740的SMD-220封裝可適應(yīng)高強(qiáng)度電流的應(yīng)用。
2、IRF740特征
動(dòng)態(tài)dv/dt率
可恢復(fù)性雪崩測(cè)定
快速轉(zhuǎn)換速率
并行簡(jiǎn)易
僅需簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)
超低柵電荷 - IRF740LC
增強(qiáng)VGS等級(jí) 30 V - IRF740LC
極高工作頻率 - IRF740LC
無鉛環(huán)保
3、產(chǎn)品參數(shù)
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值: 10A (at 25℃)
電壓, Vgs 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on): 典型值 0.48Ω
（Vgs=10V，Id=5.3A）
電壓Vds 最高:400V
功耗:2.5W
功率溫度:25°C
4、IRF730產(chǎn)品參考
|
PartNumbe |
VDss(V) |
ID（A） |
MaxRDS(ON) @60%ID(Ω) |
Typical RD（ON）@60%ID（Ω） |
|
IRF630 |
200 |
9.5 |
300 |
23.3 |
|
IRF024 |
60 |
14 |
0.10 |
25 |
|
IRF634 |
250 |
8.1 |
0.45 |
41 |
|
IRF830 |
500 |
4.5 |
1.5 |
38 |
|
IRF840 |
500 |
8.0 |
0.85 |
63 |
|
IRF7811 |
30 |
14 |
14 |
17 |
|
IRF530 |
100 |
14 |
0.16 |
26 |
|
IRF7413 |
30 |
13 |
11 |
44 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
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