集成運算放大器|場效應(yīng)管集成運放詳解-KIA MOS管

場效應(yīng)管集成運算放大器

場效應(yīng)管集成運放：集成電路一般是在一塊厚0.2~0.5mm、面積約為0.5mm²的硅片，上通過平面工藝制做成的。這種硅片( 稱為集成電路的基片)上可以做出包含為數(shù)十個(或更多)二極管、電阻、電容和連接導(dǎo)線的電路。

場效應(yīng)管集成運放-集成電路的特點

1.電路中各元件在同一基片上，通過相同工藝過程制造而成，其特性較為一致。

2.集成電路中的二極管多用于溫度補償或電平移動,通常由三極管的發(fā)射結(jié)構(gòu)成。

3.電阻元件由半導(dǎo)體的體電阻構(gòu)成，阻值越大，占用的硅片面積越大。通常的電阻范圍為幾十Ω -20kΩ,高阻值的電阻多用半導(dǎo)體三極管等有源元件代替或外接。

4.電容元件由PN結(jié)的結(jié)電容或MOS管電容來制作，一般的容量小于200pF。不能制造電感元和大電容。因此在集成電路內(nèi)部通常采用直接耦合，無法采用阻容耦合、變壓器耦合方式。

5.集成電路中多采用復(fù)合結(jié)構(gòu)電路。

場效應(yīng)管集成運放-集成電路的分類

運算放大器

運算放大器的符號中有三個引線端，兩個輸入端，一個輸出端。一個稱為同相輸入端，即該端輸入信號變化的極性與輸出端相同,用符號"+"表示;另一個稱為反相輸入端，即該端輸入信號變化的極性與輸出端相異，用符號"-"表示。

輸出端一般畫在輸入端的另一側(cè)，在符號邊框內(nèi)標(biāo)有"+"號。實際的運算放大器通常必須有正、負電源端，有的品種還有補償端和調(diào)零端。

理想運放的工作狀態(tài)

1.理想運放的同相和反相輸入端電流近似為零

2.理想運放的同相和反相輸入端電位近似相等(線性工作狀態(tài)時)

虛斷：由于理想運放的輸入電阻非常高，可以把兩輸入端視為等效開路—簡稱虛斷。

虛短：在運算放大器處于線性狀態(tài)時，可以把兩輸入端視為假想短路—簡稱虛短。

虛地：如將運放的同相端接地，即V+=0，則V-=0,即反相端是一個不接“地” 的“地”，稱為虛地。

半導(dǎo)體場效應(yīng)管

FET與BJT的區(qū)別

1.BJT是電流控制元件; FET是電壓控制元件。

2.BJT參與導(dǎo)電的是電子-空穴， 因此稱其為雙極型器件;FET是電壓控制元件，參與導(dǎo)電的只有一種載流子,因此稱其為單級型器件。

3.BJT的輸入電阻較低，一般10²-10⁴Ω;FET的輸入電阻高，可達10⁹-10¹⁴Ω

場效應(yīng)管的分類：

結(jié)型場效應(yīng)管JFET；MOS型場效應(yīng)管MOSFET

晶體三極管又稱為雙極型三極管，簡記為BJT ( Bipolar Junction Transistor )

場效應(yīng)管FET (Field Effect Transistor )

結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET (Junction typeFET)

絕緣柵型場效應(yīng)管也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET，簡稱為MOS管(Meta1-Oxide- Semi conductor type FET)

MOS管有NMOS、PMOS、 CMOS

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