MOSFET電路類型集合與特性分析 MOSFET開關電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-06-10
為了幫助MOSFET最大化導通和關斷時間，需要驅動電路。如果MOSFET需要相對較長的時間進出導通，那么我們就無法利用MOSFET的優(yōu)勢。這將導致MOSFET發(fā)熱，器件將無法正常工作。MOSFET驅動器通?？梢允褂米耘e電路來產(chǎn)生電壓，以將柵極驅動到比MOSFET電源電壓更高的電壓。
實際上，MOSFET的柵極像驅動器的電容器一樣，或者驅動器可以通過分別對柵極充電或放電來非常快速地導通或關斷MOSFET。
MOSFET工作在三個區(qū)域切斷區(qū)域三極管區(qū)域和飽和區(qū)域。當MOSFET處于截止三極管區(qū)域時，它可以用作開關。
MOSFET開關電路由兩個主要部分MOSFET（按照晶體管工作）和開/關控制模塊組成。當晶體管導通時，MOSFET將電壓源傳遞給特定負載。在大多數(shù)情況下，n溝道MOSFET優(yōu)于p溝道MOSFET，具有多種優(yōu)勢。
在MOSFET開關電路中，漏極直接連接到輸入電壓，而源極連接到負載。對于導通n溝道MOSFET，柵極到源極電壓必須大于閾值電壓必須大于器件的閾值電壓。對于p溝道MOSFET，源極到柵極電壓必須大于器件的閾值電壓。MOSFET表現(xiàn)為比BJT更好的開關，因為MOS開關中不存在偏移電壓。
逆變電路是數(shù)字電路設計的基本構建模塊之一。逆變器可以直接應用于邏輯門和其他更復雜的數(shù)字電路的設計。理想逆變器的傳輸特性如下所示。
早期的MOS數(shù)字電路是使用p-MOSFET制造的。但隨著微電子技術的進步，MOS的閾值電壓可以得到控制，MOS技術成為主導，因為大多數(shù)n-MOS載流子，即電子比空穴快兩倍，p-MOS的多數(shù)載流子，所以在CMOS技術到來之前，逆變器電路也使用n-MOS技術。這里我們討論三種類型的MOS逆變器電路。
電阻負載n-MOS逆變器：
它是最簡單的MOSFET逆變器電路，它具有負載電阻 R和n-MOS晶體管，它們串聯(lián)在電源電壓和地之間，如下所示。
如果V in小于n-MOS的閾值電壓，則晶體管截止。所述電容器可以被改變到電源電壓和所述輸出電壓等于電源電壓。當輸入大于晶體管的閾值電壓并且我們在輸出端獲得零電壓時，其缺點是它占據(jù)大面積IC制造。
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