HY1906替代MOS管-HY1906、KNX3308A規(guī)格書、封裝、參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-07-03
下文將會詳細的介紹國產(chǎn)MOS管KNX3308A和HY1906兩個產(chǎn)品的主要參數(shù)、封裝、應用領域等產(chǎn)品信息。KIA半導體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現(xiàn)了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V
提供無鉛環(huán)保設備
降低導電損耗的低RD值
高雪崩電流
MOS管 KNX3308A應用領域
電力供應
直流變換器
型號：KNX3308A
電流：80A
電壓：80V
漏源極電壓:80V
柵源電壓:±25
脈沖漏電流：340A
雪崩電流:20A
雪崩能源:410MJ
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RDS(ON)=5.7 mΩ(typ.)@VGS=10V
雪崩測試100%
型號：HY1906
參數(shù)：60V/70A
漏源電壓：60V
柵源電壓:±25V
源電流連續(xù):70A
脈沖漏電流:260A
連續(xù)漏電流 Tc=25℃:70A
連續(xù)漏電流 Tc=100℃:49.5A
單脈沖雪崩能量286.6MJ
漏源擊穿電壓：60V
輸入電容：4620PF
輸出電容：410PF
反向傳輸電容:360PF
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