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  • 廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

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    NCE3080K可替代什么品牌MOS管型號(hào)-NCE3080K中文資料-KIA MOS管

    信息來(lái)源:本站 日期:2019-05-24 

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    KNX3403A可替代NCE3080K

    NCE3080和KNX3403A兩個(gè)型號(hào)為低壓MOS管,KIA半導(dǎo)體是專(zhuān)業(yè)制造中、低、高壓MOS管。KNX3403A可替代NCE3080K,接下來(lái)會(huì)寫(xiě)出NCE3080和KNX3403A兩個(gè)型號(hào)的規(guī)格書(shū)、封裝、參數(shù)等。


    低壓MOS管內(nèi)阻特點(diǎn)

    創(chuàng)新高壓技術(shù)

    低柵極電荷

    定期額定雪崩

    較強(qiáng)dv/dt能力

    高電流峰值


    KIA半導(dǎo)體KNX3403A產(chǎn)品概述
    (一)MOS管 KNX3403A 85A/30V參數(shù)

    型號(hào):KNX3403A

    電流:85A

    電壓:30V

    漏至源電壓:30V

    門(mén)到源電壓:±20V

    脈沖漏電流測(cè)試:340A

    雪崩電流:25A

    雪崩能源:156MJ

    接頭和儲(chǔ)存溫度范圍:-55℃至+175℃


    (二)MOS管 KNX3403A特點(diǎn)

    RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V

    無(wú)鉛綠色設(shè)備

    降低導(dǎo)電損耗

    高雪崩電流


    (三)KNX3403A封裝


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    (四)KNX3403A規(guī)格書(shū)

    查看規(guī)格書(shū),請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。


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    NCE3080K產(chǎn)品介紹
    (一)NCE3080K產(chǎn)品概述

    VDS=30V,ID=80A

    RDS(ON)<6.5mΩ @VGS=10V

    RDS(ON)<10mΩ @VGS=5V

    超低RDSON高密度電池設(shè)計(jì)

    完全特征雪崩電壓和電流

    良好的散熱包裝

    高靜電放電性能的特殊工藝技術(shù)


    (二)NCE3080K產(chǎn)品應(yīng)用

    電源切換應(yīng)用

    硬開(kāi)關(guān)和高頻電路

    不間斷電源


    (三)NCE3080K產(chǎn)品參數(shù)詳情

    漏源電壓:30V

    柵源電壓:±20V

    漏電流連續(xù):80A

    脈沖漏電流:170A

    最大功耗:83W

    漏源擊穿電壓:30V

    輸入電容:4700PF

    輸出電容:4700PF

    反向轉(zhuǎn)移電容:345PF


    (四)NCE3080K封裝圖


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    (五)MOS管 NCE3080K產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

    查看及下載規(guī)格書(shū),請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。


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