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    MOS管原廠KIA品牌 KIA50N06B可替代FQP50N06規格書-KIA MOS管

    信息來源:本站 日期:2019-04-29 

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    KIA MOS管品牌介紹

    MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06,了解一下KIA半導體公司,深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。


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    現已經擁有了獨立的研發中心,研發人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊,可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案,強大的研發平臺,使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項,并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。


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    KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新,力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。


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    從設計研發到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈,真正做到了服務細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場效應管(MOSFET)功率器件領域的領跑者,為了這個目標,KIA半導體正在持續創新,永不止步!


    MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06

    MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06,下文有KIA50N06B和FQP50N06兩個MOS管型號的封裝、參數及規格書資料詳情。


    MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-KIA50N06B資料詳解

    (一)MOS管KIA50N06B產品特征

    1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V

    2、無鉛綠色裝置

    3、降低導電損耗

    4、高雪崩電流


    (二)KIA50N06B主要參數

    產品型號:KIA50N06B

    工作方式:50A/60V

    漏源極電壓:60V

    柵源電壓:±25

    脈沖漏電流:250A

    雪崩電流:15A

    雪崩能量:120MJ

    漏源擊穿電壓:60V

    柵電阻:1.0Ω

    輸入電容:2060pF

    輸出電容:755pF

    反向轉移電容:375pF


    (三)KIA50N06B封裝圖


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    (四)MOS管KIA50N06B規格書

    查看及下載規格書,請點擊下圖。

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    MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-FQP50N06資料詳解


    (一)FQP50N06參數


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    (二)FQP50N06封裝圖


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    (三)FQP50N06規格書

    查看及下載規格書,請點擊下圖。


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