KIA品牌 MOS管原廠 KNX6165A 10A/650V規格書/封裝-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2019-03-25
KNX6165A通道增強型硅柵功率MOSFET是為高壓設計的。高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源,開關電源等。基于半橋拓撲的功率因數校正電子燈鎮流器。
1、RDS(ON),typ=0.6Ω@VGS=10V
2、符合ROHS標準
3、低柵電荷最小開關損耗
4、快速恢復體二極管
產品型號:KNX6165A
工作方式:10A/650V
漏源電壓:650V
柵源電壓:±20V
漏電流連續:10A
脈沖漏極電流:40A
雪崩能量:800mJ
耗散功率:216W
熱電阻:62℃/W
漏源擊穿電壓:650V
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:1554PF
輸出電容:153PF
上升時間:31ns
查看規格書,請點擊下圖
聯系方式:鄒先生
聯系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助