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    低壓MOS管 40N06B 38A/60V中文資料-價格合理 供貨穩定-KIA MOS管

    信息來源:本站 日期:2019-01-24 

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    低壓MOS管 40N06B 38A/60V

    低壓MOS管 40N06B的產品概述

    RDS(on) = 14mωVDS = 60V

    高單元密度溝槽技術

    超低柵電荷

    優異的Cdv/dt效應下降

    100%EAS保證

    可用的綠色設備


    低壓MOS管 40N06B 38A/60V應用領域

    用于MB/NB/UMPC/VGA的高頻負載

    點負載同步降壓轉換器

    網絡直流供電系統

    LCD/LED


    低壓MOS管 40N06B 38A/60V封裝

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    低壓MOS管 40N06B 38A/60V參數詳情

    型號:KIA40N06B

    工作方式:38A/60V

    漏源極電壓:60V

    柵源電壓:±20

    脈沖漏電流:80A

    單脈沖雪崩能量:67MJ

    雪崩電流:28A

    總功耗:45W


    低壓MOS管 40N06B電路特征

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    低壓MOS管 40N06B附件

    低壓MOS管,40N06B,38A/60V



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